次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」 InGaAs FETの最近の研究成果。IEDMとVLSIシンポジウムの論文資料からまとめた (クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan