超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜

酸化ハフニウム基物質（赤い線）で発見された強誘電性の膜厚依存性。薄膜になるほど強誘電性が向上する「逆サイズ効果」を示している （クリックで拡大） 出典：東京工業大学 元素戦略研究センター