ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（13）〜高移動度FinFETの期待と現実

左はトランジスタにおけるドレイン電流とゲート電圧の関係。左がSi FET、右がGe FET。バンド間トンネリングによるリーク電流を比較した。右はオン電流のばらつき。左がSi FET、右がGe FET（クリックで拡大） 出典：ARM