ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（13）〜高移動度FinFETの期待と現実

左は、14nm世代から5nm世代にかけてのフロントエンドオブライン（FEOL）とバックエンドオブライン（BEOL）の抵抗と容量。右はトランジスタのドレイン電流とコンタクト抵抗の関係。ゲルマニウム（Ge）とシリコン（Si）のpMOSトランジスタで比較した（クリックで拡大） 出典：ARM