ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(11)〜回路の遅延時間を変動させるさまざまな要因

プロセス(しきい電圧)(P)、電源電圧(V)、温度(T)によって遅延時間が変化する(PVTコーナー)。第1世代のFinFETの例。遅延時間は25℃の値を100%とする相対値(クリックで拡大) 出典:ARM

プロセス(しきい電圧)(P)、電源電圧(V)、温度(T)によって遅延時間が変化する(PVTコーナー)。第1世代のFinFETの例。遅延時間は25℃の値を100%とする相対値(クリックで拡大) 出典:ARM