デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ 最も短いチャンネル長(15nm)のMoS2 FET(クリックで拡大) 出典:VLSI Technologyシンポジウム委員会 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan