デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ

InGaAs化合物半導体をSi基板上の絶縁層に形成したMOSFET。写真は準備実験として、インジウム・リン（InP）化合物半導体を絶縁層の上に横方向エピタキシャル成長させたもの（クリックで拡大） 出典：VLSI Technologyシンポジウム委員会

InGaAs化合物半導体をSi基板上の絶縁層に形成したMOSFET。写真は準備実験として、インジウム・リン（InP）化合物半導体を絶縁層の上に横方向エピタキシャル成長させたもの（クリックで拡大） 出典：VLSI Technologyシンポジウム委員会