デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ 高移動度のSiGe-OI技術によるpチャンネルMOS FinFET(クリックで拡大) 出典:VLSI Technologyシンポジウム委員会 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan