デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ

窒化ガリウム（GaN）化合物半導体を主要材料とする高移動度トランジスタ（HEMT）（クリックで拡大） 出典：VLSI Technologyシンポジウム委員会