ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(8)〜消費電力の制約が決めるCPUの「個性」

しきい電圧の違いによる動作周波数とリーク電力の変化。高いしきい電圧(RVT)のトランジスタと低いしきい電圧(LVT)のトランジスタを組み合わせることで、高い動作周波数と低いリーク電力を両立させやすくなる。GPUコア「Mali-T658」の例(クリックで拡大) 出典:ARM

しきい電圧の違いによる動作周波数とリーク電力の変化。高いしきい電圧(RVT)のトランジスタと低いしきい電圧(LVT)のトランジスタを組み合わせることで、高い動作周波数と低いリーク電力を両立させやすくなる。GPUコア「Mali-T658」の例(クリックで拡大) 出典:ARM