足かけ20年、SiCパワーデバイス開発のこれまでとこれから

開発初期のチップ「縦型SiC-MOSFET」（左）と、5mm角および10mm角のSiC-MOSFET/SiC-SBDが作り込まれたSiCウエハーの開発品 （クリックで拡大）