「経験で設計すると失敗する」、ルネサスが提示する16nm FinFET SRAMの課題

左＝寄生容量のばらつきは、速度のばらつきにつながる。右＝新居氏は、配線抵抗の大きさにも懸念を示している（クリックで拡大） 出典：ルネサス エレクトロニクス