「経験で設計すると失敗する」、ルネサスが提示する16nm FinFET SRAMの課題 SRAMセルの安定性と書き込み特性(クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan