シリコンの時代は「人類滅亡の日」まで続く(前編) 128Gビットの大容量NANDフラッシュメモリ。韓国のSamsung Electronicsが開発したもの。平方ミリ当たりの記憶容量は0.96Gビット(約120Mバイト)。ISSCC2014の講演スライド(講演番号19.5)から引用した(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan