メモリ編：次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目

ISSCCで発表された不揮発性メモリ（実際にはNANDフラッシュメモリ）の記憶密度の推移。ISSCC2015では、200Mバイト（1.6Gビット）/mm2を初めて超える。2014年11月17日に開催された「ISSCC2015東京記者会見」の説明資料から引用した（クリックで拡大）