ノーベル賞の天野氏、GaNパワー半導体研究へ抱負 左=SIP次世代パワーエレクトロニクス開発プログラムの目指す方向性 / 右=SIP次世代パワーエレクトロニクス開発プログラムの開発テーマ (クリックで拡大) 出典:NEDO 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan