カーボンナノチューブを使った「NRAM」の基本動作を実証

左のグラフは、NRAMのMLC動作の可能性を示すグラフ。低抵抗から高抵抗に変化する際に、「抵抗が100倍変化するため4つの状態を記憶することが可能なる」（中央大学）。右は、NRAMの1011回の書き換えと高信頼動作を示すグラフ （クリックで拡大） 出典：中央大学