−40〜250℃の温度サイクル試験で1000回達成、SiCパワー半導体向け基板

銅箔を張り付けた従来基板（左）と、新開発の金属セラミック基板との違いの一例 （クリックで拡大） 出典：NEDO、ファインセラミックス技術研究組合、ノリタケ