シリコンに代わる材料を用いたCMOSイメージセンサー、8Kカメラの高感度化を実現

左は「光電変換膜積層型固体撮像デバイス」と従来のCMOSイメージセンサーの構造の比較。右は、試作した固体撮像デバイスと、非結晶セレン/結晶セレンを塗布したガラス(クリックで拡大)

左は「光電変換膜積層型固体撮像デバイス」と従来のCMOSイメージセンサーの構造の比較。右は、試作した固体撮像デバイスと、非結晶セレン/結晶セレンを塗布したガラス(クリックで拡大)