エンタープライズ用途に、民生用NANDメモリが使えるエラー訂正機能を近く製品化――LSI社

10nm台プロセス採用した先端NANDメモリで、繰り返し書き換えを行った場合の各ECC技術のエラー訂正状況を示す資料。左は約3000回の書き換えを行った状態で、「SHILED」「HARD LDCP」「BCH 1K」の各ECC技術ともに、エラー率10−16をクリアしていることを示す緑の表示が図中右に並ぶ。右は、書き換えを8000回以上を行った場合。エラーが発生したビットを示す赤い点が増え、SHILEDを除く2つのECC技術では、エラー率を10−16以下に抑えることができず「FAILED」(失敗)と赤く表示されている (クリックで拡大) 出典:LSI Corporation

10nm台プロセス採用した先端NANDメモリで、繰り返し書き換えを行った場合の各ECC技術のエラー訂正状況を示す資料。左は約3000回の書き換えを行った状態で、「SHILED」「HARD LDCP」「BCH 1K」の各ECC技術ともに、エラー率10−16をクリアしていることを示す緑の表示が図中右に並ぶ。右は、書き換えを8000回以上を行った場合。エラーが発生したビットを示す赤い点が増え、SHILEDを除く2つのECC技術では、エラー率を10−16以下に抑えることができず「FAILED」(失敗)と赤く表示されている (クリックで拡大) 出典:LSI Corporation