次世代パワー半導体「GaN」「SiC」が競演 左は、フルSiCモジュールとIGBTモジュールとの比較展示。右はSiCデバイスを用いた実験用インバータユニット (クリックで拡大) 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan