次世代パワー半導体「GaN」「SiC」が競演 左は、2014年3月末までに量産開始を目指すゲートドライバ内蔵型GaNトランジスタ、右はSiCウエハーと、1200V/20AのフルSiCモジュール (クリックで拡大) 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan