次世代パワー半導体「GaN」「SiC」が競演

左の写真は、600V耐圧GaNトランジスタ（左）とWLCSPパッケージを用いた30V耐圧トランジスタ。右の写真は、GaNトランジスタを形成した6インチウエハー （クリックで拡大）