動作電圧0.4V以下を実現する技術を開発、スマホの消費電力も1/10になる!?

STT-MRAM向けに開発した、「微細化しても安定した動作を実現するMTJ構造」と「多値技術で大容量化を可能とするメモリ構造」 (クリックで拡大) 出典:NEDO、LEAP

STT-MRAM向けに開発した、「微細化しても安定した動作を実現するMTJ構造」と「多値技術で大容量化を可能とするメモリ構造」 (クリックで拡大) 出典:NEDO、LEAP