消費電力1/100に！ 夢の“不揮発ロジック”の実用化へ前進

左は、「バックグラウンド書き込み方式」のイメージ。右は、SRAM、MTJ素子の書き込み時間のグラフ。SRAMは2.1nsの書き込み動作で動く一方、黒い線で表しているMTJの書き込みは5.3nsを費やしている。タイマーにより、9nsでメモリセルへの電源を落としている （クリックで拡大） 出典：NEC/東北大学