新日本無線がSJ-MOSFETを量産へ、デンソーの技術でオン抵抗を半減

パワーMOSFETの構造の比較。左から、二重拡散MOSFET（DMOSFET）、「マルチエピタキシャル技術」を用いたSJ-MOSFET、デンソーが開発した「トレンチ埋め込みエピタキシャル技術」を用いたSJ-MOSFETの順で並んでいる。（クリックで画像を拡大） 出典：新日本無線