「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は？（地域編）

図1　SiCデバイスの各国／地域における特許出願件数推移　各国／地域の特許を以下のように略記した。米国特許：US、欧州特許：EP、WO特許：WO／PCT、韓国特許：KR、日本特許：JP、ドイツ特許：DE（クリックで拡大）