「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は？（地域編）

表1　SiC／GaNデバイスに取り組む企業の開発動向　表中の記号の意味は以下の通り。○：該当することを確認済み、―：非該当を確認済み、記号なし：確認できていない。表中の略号の意味は以下の通り。SBD：Schottky Barrier Diode、MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、JFET：Junction Field Effect Transistor、BJT：Bipolar Junction Transistor、IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor （クリックで拡大）

表1　SiC／GaNデバイスに取り組む企業の開発動向　表中の記号の意味は以下の通り。○：該当することを確認済み、―：非該当を確認済み、記号なし：確認できていない。表中の略号の意味は以下の通り。SBD：Schottky Barrier Diode、MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、JFET：Junction Field Effect Transistor、BJT：Bipolar Junction Transistor、IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor （クリックで拡大）