未来の省エネ材料に新候補、“酸化ガリウム”のトランジスタ動作が初実証

図3 酸化ガリウム材料を使ってMESFETを試作 融液成長法の1つである「フローティングゾーン法」で作成した単結晶の酸化ガリウム基板に、分子線エピタキシー法で高品質のn型酸化ガリウムの薄膜を成膜した(a)。(b)は顕微鏡写真。

図3 酸化ガリウム材料を使ってMESFETを試作 融液成長法の1つである「フローティングゾーン法」で作成した単結晶の酸化ガリウム基板に、分子線エピタキシー法で高品質のn型酸化ガリウムの薄膜を成膜した(a)。(b)は顕微鏡写真。