未来の省エネ材料に新候補、“酸化ガリウム”のトランジスタ動作が初実証

図1　SiCやGaNに続く次世代パワー半導体として可能性を秘める酸化ガリウム　（a）は、パワー半導体材料における酸化ガリウムの位置付け。（b）は、各種材料のオン抵抗と耐圧の関係。グラフが右下にあるほどパワー半導体として優れた特性があることになる。酸化ガリウムは、SiやSiC、GaNと比べて最も右下にあることが分かる。