“ポストシリコン”狙うカーボンデバイス、性能も製造性も着実に向上 図7 試作したチャネル長9nmのCNTトランジスタのサブスレッショルド特性(左)と電流電圧特性(右) (クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan