“ポストシリコン”狙うカーボンデバイス、性能も製造性も着実に向上

図3 試作したグラフェンFETの性能(This work)と過去の最高記録(Previous record) (クリックで拡大)

図3 試作したグラフェンFETの性能(This work)と過去の最高記録(Previous record) (クリックで拡大)