デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年以降発売の次世代EV搭載を目指す

左の写真はデンソーのSiC関連の展示である。右の写真はSiCデバイスを用いたインバータを拡大したもの。SiC-SBDが耐圧1200V/電流容量200Aなのに対して、SiC-MOSFETは耐圧1200V/電流容量100Aであるため、SiC-SBD1個に対して、SiC-MOSFETを2個使用している。