第32回 MOSFETのオペアンプを改善〜裏返し回路で入出力特性向上〜 図2 GND電圧付近の出力電圧特性を改善 図1のnチャネルのMOSFETをpチャネルのMOSFETに置き換えることでGND側の特性改善を進めます。 記事に戻る 美齊津摂夫,ディー・クルー・テクノロジーズ