第30回 MOSFETのオペアンプを改善〜FET寸法の調整で入出力特性を向上〜 図4 図3の各部の電流や電圧 設計したオペアンプをボルテージフォロアとして使い、直流解析を実施した結果です。図上は、電流源X3を流れる電流値、図下は、トランジスタX7とX8の接点部分の電圧Vsや、トランジスタX1のゲート電圧Vo、入力電圧Vin、出力電圧VOUTです。グラウンドと電源付近で、入力電圧と出力電圧がずれています。 記事に戻る 美齊津摂夫,ディー・クルー・テクノロジーズ