微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も

表1　Si基板上の新材料/新機構の候補　現在提案されているテクノロジ・ブースタをまとめた。重要な点は、Si（シリコン）基板を使って、これまでの製造技術や設計資産を最大限活用しながら、新材料や新機構を導入するという点である。SOI基板やfinFETといったテクノロジ・ブースタを導入することで、トランジスタのスイッチング特性を表すSファクタの改善も見込める。さらに、Sファクタの改善を目的としたMOS FETの新たな動作機構の提案もある。