微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も

図5　テクノロジ・ブースタを続々導入　集積度を高めつつ、性能を向上させるため、さまざまなテクノロジ・ブースタの導入が進む。16nm世代または11nm世代では、Geチャネルにひずみ技術を組み合わせることも検討されている。