微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も

図3　幾何学的スケーリングに従った微細化の流れ　90nm世代以降、MOS FETの寸法をひたすら縮小する幾何学的スケーリングによる性能向上は難しくなってきた。現在では、ひずみSiやhigh-k/ 金属ゲートといった「テクノロジ・ブースタ」の力を借りて、微細化を進めている。