微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も

図3　NANDにもNORにもなる　不揮発性ロジック・イン・メモリーのアイデアに従って、図2を実際の回路に展開した。情報を記憶するMTJ素子（図中の黄色の部分）が演算回路の一部となっている。MTJ素子の状態（「y」が0または1）を変えることで、回路全体をNANDまたはNORに切り替えられる。出典：東北大学電気通信研究所羽生研究室