微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も

図4　SRAMの「バタフライ・カーブ」を不均等にできる　既存のSRAMと強誘電体SRAMの違いは、動作の安定度を表す「バタフライ・カーブ」に顕著に表れる。バタフライ・カーブとは、SRAMを構成する2つのインバータの入出力をグラフ化したもの。既存のSRAMでは、バタフライ・カーブは「1」または「0」の状態を示す2つの安定点に対して、SRAMの動作安定性を示す静的雑音余裕（SNM）は均等である。強誘電体SRAMでは、「1」または「0」の状態の違いでバタフライ・カーブの形状が変わり、SNMが広がる。出典：東京大学竹内研究室