図左(図2)は、スピンMOS FETの構造。上部は開発したスピンMOS FETの構造、下部はバンドギャップ構造を示している。ソースとドレインのスピンが平行になることで、抵抗が下がる。一方、反平行時には抵抗が大きくなる。抵抗の大小が、オン/オフに対応する。電子のスピン方向は、「スピン注入磁化反転技術」を使って変える。図右(図3)は、基本動作試験の結果。左図はソース・ドレイン電圧に対するドレイン電流の変化の様子。右図は、スピン方向の差異による、抵抗値変化の様子を示している。赤線がスピン方向が平行配置の場合、青線は反平行配置の場合である。抵抗差は、数Ω程度。