ルネサス初の低耐圧GaNパワー半導体、AIサーバやヒューマノイド狙う

ルネサス初の低耐圧窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスである、100V耐圧Eモード GaN FET［クリックで拡大］ 出所：ルネサス エレクトロニクス