シリコンMOS量子ドットの大規模化 どう実現するのか(前編) 図2:300mmウエハ上の2量子ビットDiraqデバイスの概略図。ウエハー全体、単一ダイ、単一デバイスレベルを示している 出所:imec 記事に戻る Sofie Beyne(imec),EDN