絶縁バイアス電源を9割小型化! 高い電力密度を実現する最新パワーマネジメント製品 GaN FETを統合したパワーステージは、1.5kW/in3と高い電力密度を実現する 提供:日本テキサス・インスツルメンツ 記事に戻る PR/EDN Japan