SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上

図7：オン抵抗の温度依存性の測定結果とシミュレーション結果SiCパワーMOSFETのオン抵抗を実際に測定して、デバイスモデルのパラメータを最適化。そうして作成したデバイスモデルを使って、オン抵抗の温度依存性をシミュレーションしたところ、測定結果と高い精度で一致した。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー