SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上

図6：スイッチング波形のシミュレーション値と測定値も一致大電流／高電圧領域のId-Vd特性の測定結果を使ってデバイスモデルを最適化したため、スイッチング波形の測定結果とシミュレーション結果も合うようになった。これでシミュレーションの段階で、電力損失や変換効率を正確に見積もれる。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー