SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上

図5：スイッチング軌跡の測定結果とシミュレーション結果が一致大電流／高電圧領域のId-Vd特性の測定結果を使ってデバイスモデルを最適化したため、スイッチング軌跡の測定結果とシミュレーション結果が一致するようになった。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー