SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上

図4：大電流・高電圧のId-Vd特性を使ってパラメータを調整大電流／高電圧領域のId-Vd特性を測定できるようになったため、その結果を用いてデバイスモデルのパラメータを最適化することが可能になった。このためデバイスモデルの精度が格段に向上した。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー