SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上

図2：Id-Vd特性の測定可能領域従来、キーサイトのパワーデバイスアナライザー「B1506A」を使って測定しても、ドレイン電圧が最大50V以下の狭い領域しかドレイン電流-ドレイン電圧（Id-Vd）特性測定はできなかった。しかし、ダブルパルステスター機能を備える「PD1500A」を使えば、最大1200Vのドレイン電圧と最大200Aのドレイン電流で測定できるため、大電流／高電圧領域のId-Vd特性の測定が可能になった。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー