SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上 図7:オン時の容量特性を考慮することで解析精度が大幅向上[クリックで拡大] 出所:キーサイト・テクノロジー 記事に戻る 谷川博章/橋本憲良(キーサイト・テクノロジー),EDN Japan